TRANSCEND SODIMM DDR3 1600Mhz 4GB Non-ECC SRx8 CL11
| Artikel | 250785 |
|---|---|
| EAN | 0760557825586 |
| Herst.-Nr. | TS512MSK64V6H |
Transcend
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Produktinformationen
Transcend - DDR3 - Modul - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC - für Acer Aspire E1, Z1800; Veriton N4620G_Hc2377; Dell Inspiron 14 3437, 17R 7720
Die Industrial Grade Temp ECC SO-DIMMs von Transcend bestehen aus hochwertigen DDR3-Chips und besonders widerstandsfähigen Komponenten und sind die ideale Wahl für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot, die eine robuste Haltbarkeit und einen einwandfreien, stabilen Betrieb erfordern. Mit ihrer Flexibilität bei der Betriebstemperatur im industriellen Bereich sind diese Wide-Temp-Speichermodule speziell dafür ausgelegt, auch in extrem heißen oder kalten Umgebungen eine hohe Leistung zu erbringen. Darüber hinaus verfügt das DDR3 ECC SO-DIMM von Transcend über einen Error Correcting Code, der die Daten, die in den und aus dem Speicher übertragen werden, überwacht und gefundene Fehler korrigiert. Dadurch wird das Risiko von Berechnungsfehlern bei komplexen Aufgaben erheblich verringert und gleichzeitig die Zuverlässigkeit des Systems insgesamt erhöht.
Die Industrial Grade Temp ECC SO-DIMMs von Transcend bestehen aus hochwertigen DDR3-Chips und besonders widerstandsfähigen Komponenten und sind die ideale Wahl für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot, die eine robuste Haltbarkeit und einen einwandfreien, stabilen Betrieb erfordern. Mit ihrer Flexibilität bei der Betriebstemperatur im industriellen Bereich sind diese Wide-Temp-Speichermodule speziell dafür ausgelegt, auch in extrem heißen oder kalten Umgebungen eine hohe Leistung zu erbringen. Darüber hinaus verfügt das DDR3 ECC SO-DIMM von Transcend über einen Error Correcting Code, der die Daten, die in den und aus dem Speicher übertragen werden, überwacht und gefundene Fehler korrigiert. Dadurch wird das Risiko von Berechnungsfehlern bei komplexen Aufgaben erheblich verringert und gleichzeitig die Zuverlässigkeit des Systems insgesamt erhöht.